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單相 電容電感測(cè)試儀產(chǎn)品概述：

采用橋式電路結(jié)構(gòu)，標(biāo)準(zhǔn)電容器和被試電容器作為橋式電路的兩臂。當(dāng)進(jìn)行電容器電容值測(cè)量時(shí)，合上測(cè)試開關(guān)K,測(cè)試電壓同時(shí)施加在標(biāo)準(zhǔn)電容器和被試電容器上，處理器通過(guò)傳感器同采集流過(guò)兩者的電流信號(hào)并進(jìn)行處理后得也被試電容器的電容值和阻性分量。

單相 電容電感測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)

    可測(cè)電容范圍：2uF～20 uF ±（1%讀數(shù)+0.1%滿度）
                         20uF～200 uF ±（1%讀數(shù)+0.1%滿度）
                         200uF～2000 uF ±（1%讀數(shù)+0.1%滿度）
    可測(cè)電感范圍：5mH～50 mH ±（3%讀數(shù)+0.2%滿度）
                         50mH～500mH ±（3%讀數(shù)+0.2%滿度）
                         500mH～5 H ±（3%讀數(shù)+0.2%滿度）
    可測(cè)電流范圍：0.1A～20A ±（1%讀數(shù)+5個(gè)字）

結(jié)構(gòu)

自動(dòng)檢測(cè)NPN和PNP晶體管，N溝道和P溝道MOSFET，二極管（包括雙二極管）、晶閘管、三極管、電阻器和電容器等元件，

*自動(dòng)測(cè)試出元件的引腳，并顯示在液晶上
*可以檢測(cè)晶體管、MOSFET保護(hù)二極管等的放大系數(shù)和基數(shù)的確定發(fā)射極晶體管的正向偏置電壓
*測(cè)量柵極閾值電壓和柵電容的MOSFET
*顯示器使用12864 lcd 液晶（128 * 64個(gè)字符）
*較高的測(cè)試速度，有效期組件測(cè)試：在2秒（除在較大的電容器，大電容的測(cè)量還需要較長(zhǎng)時(shí)間，測(cè)量的時(shí)間為1分鐘是正常的）

*一鍵操作，開機(jī)測(cè)試，一鍵搞定。
*功率消耗關(guān)閉模式：小于20 nA的
*自動(dòng)關(guān)機(jī)功能，可以避免不必要的浪費(fèi)，節(jié)約電池能量，提高續(xù)航時(shí)間。

功能特點(diǎn)

● 量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換；

● 儲(chǔ)存7168個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)；

● 大屏幕液晶（320×240 LCD）顯示, 漢字菜單操作提示；

● 實(shí)現(xiàn)波形和測(cè)量處理數(shù)據(jù)同屏顯示，使測(cè)試過(guò)程更直觀；

● 具有設(shè)置、校正和調(diào)試功能。

1、試驗(yàn)電壓：不了解試品阻抗的情況下可以先用 2V試測(cè)，如果試驗(yàn)電流小于 1A可以改用 30V測(cè)量。

2、電流檢測(cè)：鉗形 CT夾到需要測(cè)量電流的部位。例如可以?shī)A到連接電容的引線上而不一定是電容的套管。如果是測(cè)量總電流，也可以直接夾到電壓引線上。

3、鉗形 CT朝向：要求將電流鉗的正面朝向紅夾子（即 2V或20V）方向，此時(shí)儀器自動(dòng)區(qū)分電容、電感或者電阻。

4、磁場(chǎng)干擾：建議鉗型 CT遠(yuǎn)離儀器 1米以上。如果測(cè)量一個(gè)漏磁嚴(yán)重的電感，建議遠(yuǎn)離電感 1米以上。